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硅光子終究方針單片集成:中國還不工藝平臺
作者:劉定洲 來歷:C114中國通訊網

        7月11日動靜(劉定洲)在日前舉行的“50年岑嶺服裝服裝服裝論壇t.vhao.nett.vhao.nett.vhao.net”上,一篇由浙江大學信息與電子工程學院副傳授余暉、浙江大學信息與電子工程學院傳授、博士生導師楊建義合著的文章獲得表露。文章表現,以后短間隔光互聯首要接納VCSEL手藝,跟著傳輸間隔跨越1千米,和傳輸速度跨越100Gb/s并逐步進入Tb/s的規模,基于單模的硅光子手藝在本錢、功耗和帶寬上逐步顯現出了較著的上風。經由過程波分復用,硅光子手藝可將光互聯的帶寬晉升到絕后的程度。

        正因為如斯,天下列國包含學術界和企業界的很多機構均對硅光互聯手藝睜開了普遍的研討。不少公司已或正在推出相干產物。今朝研討的重點已從單個硅光器件功效的完成和機能的前進,轉移到硅光工藝平臺(platform)的扶植,和高速收發模塊(transceiver)的開辟。
        文章指出,操縱規范工藝線在SOI襯底上建造硅基集成光路,今朝手腕和手藝均已非常成熟。除臨時還沒法以CMOS兼容的體例停止單片集成,基于硅波導的其余器件,包含無源波導、、調制器、的機能均已非常成熟。可是,集成光路與集成電路在襯底資料、特點尺寸、詳細制作工藝等方面均存在較大的差別,是以今朝光路與電路的集成經常經由過程夾雜集成的體例停止。即光芯片與電芯片在各自的平臺上停止自力設想與制作,再經由過程wire-bonding或flip-chip bonding的體例組裝。
        夾雜集成的上風是矯捷度高,前期工藝本錢低,工藝進級便利,并且鍵合手藝的前進也在使得其本錢和寄失效應不時下降。但夾雜集成的弊病在于光芯片與電芯片之間的鍵合會引發寄失效應,和高貴的前期封裝本錢。同時,因為全體機能只能在光芯片與電芯片各自解理并終究組裝以后能力停止,大大增添了測試本錢。光路與電路的單片集成計劃則可處理以上題目,毫無疑難,光路與電路的高機能低本錢單片集成一向代表著硅基光子學成長的終究方針。
        今朝操縱硅光手藝停止光收發模塊開辟的公司已有十幾家,相干產物在首要手藝目標上已日益成熟,今朝斟酌更多是若何下降本錢以前進產物協作力,知足市場需要。文章在先容相干硅光子產物時,并不提到一家中國公司,可見國際在硅光子范疇的大大掉隊。
        中國迷信院研討所副長處、博士生導師祝寧華也在服裝服裝服裝論壇t.vhao.nett.vhao.nett.vhao.net上表現,雖然中國在光子集成范疇已獲得了一些功效,但在光電子器件制作設備研發投入分離,不成立硅基和InP基光電子體系化研發平臺,芯片流片加工根基都在新加坡、加拿大、荷蘭、中國臺灣、德國等地停止。
        祝寧華指出,光電子器件的焦點手藝與制備工藝緊密親密相干,在外流片致使973和863焦點手藝大批散失,我國在高端信息光電子芯片設備研發方面缺少延續體系的投入,致使與外洋差異進一步加大。 


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